光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏应，所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象，光子作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收，产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生变化，产生光电导效应。)按照光电探测器不同波段来区分它们，可分为紫外光探测器、可见光探测器以及红外光探测器，这些探测器的材料可分为碳化硅探测器、硅探测器、锗探测器、铟镓砷探测器、硒化铅探测器、碲镉汞探测器等。
1.碳化硅探测器（sic）
光谱响应：0.2-0.4um；可应用于火焰探测和控制、紫外测量、控制杀菌灯光和医疗灯光控制等领域。
2.硅探测器（si）
光谱响应：0.3-1.0um；可应用于工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备中。
3.锗探测器（ge）
光谱响应：0.8-1.8um；可应用于光功率计（opm）、led/ld老化及特性诊断、光谱学以及眼睛安全激光探测传感器等领域。
4.铟镓砷探测器（ingaas）
光谱响应：0.9-2.7um；可应用于气体分析、近红外ftir、近红外荧光光谱、血液分析、光通讯以及光功率测量等领域。
5.硫化铅探测器（pbs）光导
光谱响应：1.0-3.0um；可应用于气体检测、光学测温、光度计、湿度分析仪以及医疗气体分析等领域。
6.锑化铟探测器（insb）
光谱响应：1-5.5um；可用于热成像、热追踪制导、辐射计、光谱以及ftir等领域。
7.碲镉汞探测器（hgcdte）
光谱响应：0.5-5.5um/2-26um；可用于热成像，二氧化碳激光探测，ftir，制导，光谱探测等领域。